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Diodes Laser Pulsées

Les diodes lasers pulsées (PLDs) sont disponibles dans les longueurs d'onde de 850 nm, 905 nm et 1550 nm. Tous nos PLDs sont développées et fabriquées dans nos installations de production de composants laser au Canada. Des demandes spécifiques-client peuvent, donc, facilement être adaptées.

For military rangefinders

Diodes laser pulsées fonctionnant à 1550 nm

Diodes laser fonctionnant à 1550 nm jusqu’à 50 W

Diodes Laser Pulsées

Les systèmes de télémétrie conçus sur la base de diodes lasers pulsées (PLDs) à 1550 nm fonctionnent également à forte puissance et toujours dans cette région de sécurité oculaire grâce de leur longueur d’onde d’émission. La plupart des jumelles de vision nocturne ne peuvent détecter cette longueur d’onde, ce qui rend ces diodes laser pulsées à 1550 nm particulièrement bien adaptées aux télémètres laser à destination militaire ou pour les systèmes de reconnaissance FOE (ami/ennemi). Ceci est particulièrement vrai pour les diodes laser pulsées multi-jonctions.

Le matériau de base de ces séries à 1550 nm est l’InP avec des couches InGaAsP supplémentaires. La structure InGaAsP assure une fiabilité élevée, de très bonnes caractéristiques de faisceau, et une très bonne stabilité en température. La large plage de fonctionnement se situe entre -45°C et +85°C. Les diodes lasers pulsées sont montées en boîtier TO18. Elles peuvent également être fournies en boîtier 9 mm ou encore selon un design spécifique client.

Séries 155G
Le design de nos stacks(empilements) standards permet d’atteindre une puissance de sortie 15 à 20% supérieure aux valeurs moyennes du marché.

Caractéristiques supplémentaires:

  • Efficacité 0.35 W/A
  • Puissance crête: au moins 45 W avec des longueurs d’impulsion de 150 ns
  • Divergence: excellente avec 12° x 30°
  • Puissance de sortie avec un émetteur: de 3 W à 12 W
  • Puissance de sortie en stacks : de 10 W à 45 W


Séries HI
Même avec un seul émetteur, ces PLDs de fortes intensités conduisent à 35 W crête, pour une efficacité de 0.5 W/A, et pour une divergence du faisceau de seulement 12° x 25°

PLDs Muti-jonctions
La technologie laser à multi-jonctions est similaire à la technologie nano-stacks. Une chip à diode laser contient plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie. Le 155G1S2J02 produit une puissance se sortie de 5 W (@150 ns, df= 0.1%) pour une longueur active de seulement 50 µm x 7 µm et deux émetteurs. Pour des durées de pulses plus courts la puissance optique peut être dépassée en conséquence.

 

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La divergence de l'axe rapide a été optimisée par l'addition d’une lentille de collimation supplémentaire « fast axis collimation » (FAC) qui est attachée directement à l’avant de la puce de diode laser. Selon la lentille utilisée, des divergences de 10 mrad peuvent être réalisées. L'intégration de la puce et de la lentille dans un petit boîtier TO-46 hermétiquement scellé est particulièrement avantageuse. Cette conception résiste à des taux d'accélération de plus de 1000 g/ms sans problème, comme il est exigé pour l'usage en technologie militaire.

Cette technologie est également disponible en option avec diodes lasers pulsées à 905 nm. Si la longueur d'onde doit être contrôlée précisément, un refroidisseur thermoélectrique (TEC) peut également être intégré dans un boîtier TO-8.

Référence / Fiche Technique Longueur d’onde Puissance Boîtier
>> HI155G1S02FP-62/27-F-0-01 1550 nm
4.2 W Pigtail or Receptacle
>> 155G1S06X 1550 nm
5 W Other
>> HI155G1S04FP-10/22-F-0-01 1550 nm
5 W Pigtail or Receptacle
>> HI155G1S04FP-10/22-L-0-01 1550 nm
7 W Pigtail or Receptacle
>> HI155G1S02x 1550 nm
8 W Other
>> 155G2S06X 1550 nm
10 W Other
>> HI155G1S04SCX 1550 nm
10 W Other
>> 155G1S14X 1550 nm
12 W Other
>> HI155G1S04x 1550 nm
16 W Other
>> HI155G1S07SCX 1550 nm
18 W Other
>> HI155G1S07x 1550 nm
20 W Other
>> HI155G1S14SCX 1550 nm
30 W Other
>> HI155G1S14x 1550 nm
30 W Other
>> 155G4S14X 1550 nm
40 W Other

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José Bretes

+33 (0) 179858603

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