Les innovations représentées par cette nouvelle diode laser impulsionnelle peuvent se
résumer en deux points majeurs : d’une part les équipements dans lesquels cette diode laser pulsée (PLD) est intégrée restent dans la catégorie de sécurité laser de classe 1, d’autre part, cette longueur d’onde n’est pas visible avec les systèmes courants de vision nocturne.
La technologie éprouvée des PLD à 905 nm, a été utilisée pour la réalisation de ces
nouvelles diodes pulsées à 1550 nm fabriquées par LASER COMPONENTS Canada. La puce laser comprend plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie. Avec deux émetteurs, la nouvelle 155G1S2J02x délivre une puissance optique de 5 W @ 150 ns, dc = 0.1 %, pour un émetteur de seulement 50 µm x 7 µm, rendant ainsi le couplage parfait avec nos photodiodes à avalanche (APD) de 80 µm InGaAs, produites sur notre site de LASER COMPONENTS USA.
La réduction de la durée des impulsions permet d’augmenter d’autant la puissance optique
crête.
De nouveaux développements incluants la réalisation d’émetteurs de 150 µm, permettront
l’exacte adéquation avec nos APD InGaAs de 200 µm. Les diodes lasers pulsées à 1550 nm, sont idéales pour les applications militaires de télémétrie, d’identification et les systèmes FOE.
Le matériau de base en InGaAsP utilisé dans nos PLD est extrêmement fiable et peut également être utilisé dans les scanners industriels. La large gamme de température de -45 °C à +85 °C, et son excellente stabilité garantissent une large plage d’utilisation, y compris dans des régions chaudes.
Pour compléter la liste des nombreux avantages de cette nouvelle PLD, signalons son montage en boîtier TO métallique hermétiquement scellé, gage d’un haut degré de fiabilité, de capacité à accepter des opérations en régime supérieur au nominal, et d’un positionnement mécanique extrêmement précis de la puce laser.
