Modules Hautes Tensions
Nombreux composants tels que les tubes à photomultiplicateurs, détecteurs, compteurs de photons, et actuateurs piézoélectriques, nécessitent plusieurs milliers de volts pour fonctionner. Avec nos blocs modules LASER COMPONENTS ces tensions peuvent aisément être atteintes.
Des Modules dBC
Les modules à haute tension miniatures sont particulièrement appropriés aux photodiodes APDs et PIN! La série de contrôleur de polarisation numérique (dBC) comprend trois modules et fournit - même avec des dimensions réduites de juste 21 x 21 x 10 mm - une puissance de sortie jusqu'à 380 V !
Des Modules ABC
De plus ces modules de faibles dimensions 40 x 40 x 13 mm, peuvent très facilement s’intégrer sur vos cartes de circuits imprimés. Ces modules contiennent un générateur d’impulsions fonctionnant à une fréquence d’horloge de 100 kHz et un taux d’ondulation de seulement 25 mVss. La tension de sortie copie la tension de contrôle d’entrée avec seulement 0.1% de tolérance. Cette tension d’entrée peut être générée en externe ou en interne en connectant un potentiomètre au 5 Volt interne de référence. L’entrée est protégée par un fusible.
Une surcharge de seulement quelques pourcents de la tension d’entrée maximum, conduira le module à basculer un mode courant constant sans risque pour le module. Le contrôle se fait aisément grâce aux sorties de test en courant ou en tension.
Des Modules HV
Deux types de modules hautes tension sont disponibles avec différentes tensions ou différents courants de sortie : le HV1500-41 pour 50 à 1500 V/1Ma et le HV3000-42 pour 100 à 3000V/0.4Ma ; Ces modules requièrent une tension de pilotage de 15V et consomment un courant de 160Ma à pleine charge. Ils sont disponibles avec une tension de sortie positive ou négative.
Informations
sur les photodiodes à avalanche
Matériel semi-conducteur
Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.
Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.
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