La résistance des détecteurs photoconducteurs dépend de la lumière incidente. Le PbSe a un effet photoélectrique intrinsèque particulièrement fort : quand la lumière infrarouge atteint le détecteur de séléniure de plomb, la résistance est réduite. Les détecteurs peuvent être employés non refroidis jusqu'à une longueur d'onde 4,7 µm. À la température ambiante, ils montrent une détectivité D* meilleure que 1010. À de basses températures, ils réalisent un niveau de performances encore plus élevé ; en outre, la longueur d'onde se décale à 5,2 µm.
Les détecteurs photoélectriques PbSe se caractérisent par un bon rapport prix-performances à une sensibilité élevée et avec une bonne constante de temps.
Champs d'application
Les détecteurs PbSe réagissent très rapidement et sont ainsi particulièrement bien adaptés à des applications ultra-rapides, comme par exemple, la détection de points chauds. Ils sont également employés dans l'analyse médicale de gaz (mesures de CO2), les mesures d'émissions dans le domaine industriel et l'industrie automobile, ainsi que dans la mesure de l'humidité et des hydrocarbures.
PB45/50/55 – Détecteurs PbSe de LASER COMPONENTS
Ces détecteurs de séléniure de plomb sont fabriqués par Laser Components Detector Group aux Etats-Unis (plus précisément, en Arizona). La taille standard des puces de PbSe est de 2 mm X 2 mm pour tous les modèles de détecteurs. D'autres dimensions sont disponibles sur demande.
PB45 est la série non refroidie qui détecte le rayonnement de longueurs d'onde comprises entre 1 µm et de 4,7 µm.
PB50 se rapporte à des détecteurs de séléniure de plomb avec refroidissement Peltier à des températures aussi basses que -20°C et -30°C.
Dans la série PB55, le refroidissement Peltier intégré permet de descendre aussi bas que -45°C.
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Fiches Techniques
Fournisseur
NOS DÉTECTEURS D'IR
Détecteurs panchromatiques, photoconducteurs et thermiques
Photodiodes PIN InGaAs
Les photodiodes modernes PIN InGaAs sont panchromatiques et convertissent la lumière en photo-courants dans la gamme Vis-NIR. Concrètement parlant, ceci signifie une gamme de sensibilité de 500 nm à 1700 nm pour l’InGaAs standard et – par incréments – jusqu'à 2600 nm pour l’InGaAs étendu.
Détecteurs PbS et PbSe
Le PbS est un détecteur à semi-conducteur de SWIR (1 - 3.3 µm) standard tandis que le PbSe est employé dans la gamme de MWIR (1 - 4.7 µm si non refroidi ; et jusqu'à 5.2 µm une fois refroidi). Nos détecteurs de PbS et de PbS sont photoconducteurs ; la résistance du détecteur est réduite pendant l'illumination. La structure du cristal est polycrystalline et est produite par l'intermédiaire de dépôt chimique.
Détecteurs IR Pyroélectriques
Les détecteurs IR pyroélectriques sont des détecteurs thermiques. La température du matériau de surface varie en fonction de la quantité de lumière absorbée. Ces variations sont converties en signaux électriques. Les détecteurs thermiques sont polychromatiques et possèdent une très large bande passante spectrale.
L’effet pyroélectrique repose sur le fait que les atomes d’un cristal ou d’une céramique à haute cristallinité modifient légèrement leur position en cas de variations de température. Les fluctuations électriques qui en résultent sont captées par des électrodes situées à la surface du cristal.
Cet effet se produit dans de nombreux matériaux. Les plus courants sont le sulfate de triglycine dopé à la L-alanine deutérée (DLaTGS) et le tantalate de lithium (LTO).
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