Dual-mode high gain low-noise InGaAs avalanche photodiode based on p-i-n photodetector design
Arshey Patadia
Chef de produit
LASER COMPONENTS Detector Group
Titre de la présentation :
Design and characterization of a dual-mode high gain low-noise InGaAs avalanche photodiode based on p-i-n photodetector design
28 Janvier 2025 • 10:25 AM - 10:45 AM PST
Moscone West, Room 2012 (Level 2)
Abstract - Avalanche Photodiodes InGaAs
We present the design and detailed characterization of a dual-mode low-noise InGaAs photodetector which is capable of operating as a p-i-n photodetector at 0V bias (with a gain of 1) and as an avalanche photodiode (APD) with a gain of 10 at 5V under breakdown voltage of 55V. At Gain 1 the detector has 0.94 A/W responsivity and at Gain 10 the detector has 9.4 A/W responsivity. In the Avalanche operation mode, the detector can achieve high Signal to Noise ratio at Gain 30 at 2 Volts under breakdown voltage.
DÉTECTEURS IR
FABRIQUÉ PAR DES COMPOSANTS LASER
Photodiodes infrarouges (IR) avec un accent sur l'efficacité quantique
The IA35 series photodiodes based on heterostructures were specially designed for operation at room temperature.
Ces photodiodes offrent une efficacité quantique particulièrement élevée, habituellement de 99,5 %. Elles sont principalement utilisées dans les instituts de recherche.
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