Photodiodes à Avalanche

Comme les photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche (APD) sont utilisées pour détecter des intensités lumineuses extrêmement faibles. Les APD au silicium (Si) sont utilisées dans la gamme de longueurs d'onde des UV aux NIR (250 nm à 1100 nm), et l'arséniure d'indium et de gallium (InGaAs) est utilisé comme matériau semi-conducteur dans les APD pour la gamme de longueurs d'onde des NIR de 1100 nm à 1700 nm. Like photomultipliers, avalanche photodiodes (APDs) are used to detect extremely weak light intensities.

Tous les APD développés par LASER COMPONENTS sont fabriquées dans notre usine de production en Arizona, aux États-Unis. Pour répondre aux besoins de chaque client, les composants peuvent être proposés avec des modifications et des personnalisations. Avant même qu'une commande ne soit passée, les experts produits peuvent proposer des conseils   pour aider à   la prise de décision.

Fabrication certifiée

Toutes les puces  APD Si et InGaAs sont produites dans une salle blanche de classe 100. L'encapsulation  est effectuée dans une salle blanche de classe 10 000. Pour les clients de l'industrie automobile, de nombreux composants ont été développés pour répondre à la qualification AEC-Q102. En outre, des produits sont développés selon la norme MIL-STD pour les applications de défense et d'aérospatiale à haute fiabilité.

APD au silicium

LASER COMPONENTS possède un large portefeuille de produits APD au silicium, qui sont personnalisés pour supporter des efficacités quantiques (QE) élevées à des longueurs d'onde de 250 nm, 405 nm, 670 nm, 700 nm, 905 nm, 1050 nm et 1064 nm (la série SAT est typique pour les applications YAG). Ces détecteurs ultra-sensibles peuvent capturer même les plus petites quantités de lumière, ce qui est idéal pour le comptage de photons uniques (série SAP et modules de comptage). Les APD au Si sont généralement proposées avec des diamètres de zone active allant de 230 µm à 3000 µm.

APD InGaAs

Pour la gamme infrarouge (IR), LASER COMPONENTS offre deux variantes d'APDs InGaAs avec des diamètres de zone active allant de 80 µm à 500 µm. Ces APD sont idéales pour les applications qui nécessitent une fiabilité  industrielle, une faible capacité, un faible courant d'obscurité, une plage opérationnelle dynamique élevée et une détectivité sur une plage spectrale de 800 nm à 1700 nm. Leur efficacité quantique élevée à 1310 nm, 1480 nm, 1550 nm et 1625 nm permet à ces photodiodes à avalanche de fonctionner avec un faible bruit, même à des gains plus élevés et à une largeur de bande importante, sans négliger les longueurs d'onde inférieures. Ces détecteurs présentent un rapport signal/bruit (SNR) élevé, même lorsqu'ils fonctionnent au gain 30.

Récepteurs APD

Avec une large bande passante et la prise en charge de nombreuses longueurs d'onde, les récepteurs APD fonctionnent de 400 nm à 1100 nm et de 1000 nm à 1650 nm pour les APD au silicium et InGaAs respectivement. LASER COMPONENTS propose la série H1 pour un faible bruit avec un capteur de température intégré prenant en charge des bandes passantes jusqu'à 30 MHz. Les séries H2-H5 fonctionnent pour des applications encore plus rapides, avec une bande passante allant jusqu'à 700 MHz.

Guide de sélection des APD

Selon le matériau d'un détecteur, la portée et la fiabilité peuvent varier considérablement pour diverses applications. Lisez le guide de sélection des APD de LASER COMPONENTS pour comprendre où se situent les APD Si et InGaAs.

Obtenez le couple parfait avec des PLD assortis

En tant que fabricant de diodes laser pulsées (PLD) et de photodiodes, LASER COMPONENTS peut être votre interlocuteur unique pour tous vos produits émetteurs et détecteurs. Les PLD sont proposées avec des filtres passe-bande personnalisés pour répondre aux besoins des différentes industries.

Domaines d'application

• Télémétrie laser
• LiDAR
• Spectroscopie et fluorescence
• Défense et armée
• Industrie automobile
• Astronomie
• Technologie biomédicale
• Communications optiques