Photodiodes à Avalanche

Les détecteurs Si-APD sont destinées à la bande spectrale 260 nm à 1100 nm.

Les photodiodes à avalanche au silicium sont utilisées dans une gamme de longueurs d'onde allant de l'UV au proche infrarouge. LASER COMPONENTS fabrique différentes séries: de la plus haute qualité pour les systèmes exigeants, en passant par les versions personnalisées, jusqu'aux composants pour les produits de consommation.

SAT3000E1 Avalanche Photodiodes at 1064 nm

Photodiodes à Avalanche Optimisées pour le Nd:YAG

APD avec une excellente efficacité quantique pour le comptage de photons.

Les photodiodes avalanche silicium de la série SAP sont principalement utilisées dans le comptage de photons. Cette série comporte le rendement le plus élevé et les plus bas taux de courant d’obscurité actuels.

CES APDS ONT UNE GRANDE SENSIBILITÉ DANS LA GAMME DE LONGUEURS D'ONDE DUV/UV.

Ce détecteur a été développé spécifiquement pour les applications (bio)médicales dans lesquelles les plus petits signaux dans le domaine spectral des ondes courtes UV/bleu doivent être détectés.

Des barrettes APD linéaires permettant de nouvelles applications dans les radars à laser LIDAR et les systèmes de régulation automatique de la vitesse - ACC.

Efficacité maximale grâce à un excellent rapport signal/bruit.

Nos photodiodes avalanche InGaAs (APD) sont conçues pour une plage spectrale allant de 1100 nm à 1700 nm. Les produits de la série IAG se caractérisent par un rapport signal/bruit particulièrement bon et supportent une amplification de plus de 30.

APDs avec préamplificateur ajusté intégré en boîtiers hermétiques compacts.

Détection rapide et fiable de lumière. Dans des modules APD l’électronique de commande des photodiodes à avalanche est déjà incluse.

Avec les modules faibles coûts compacts de LASER COMPONENTS il est aisé de fournir des tensions jusqu’à plusieurs 1000 V

Quick Navigation

Informations

sur les photodiodes à avalanche

Matériel semi-conducteur

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.