PIN Dioden

Infrarot-Photodioden (IR) mit hoher Quanteneffizienz

Die auf Heterostrukturen basierenden Fotodioden der Baureihe IA35 sind insbesondere für den Raumtemperaturbetrieb konzipiert.

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

Abhängig von der integrierten Photodioden detektieren die Komponenten mit Pigtail zwischen 400 nm - 2100 nm.

High-Speed Photoreceiver für optische Hochgeschwindigkeitsmessungen.
Detektion von 320 nm - 1000 nm.

Empfindlichkeitsbereich 200 nm - 1100 nm. Viele Sonderoptionen und kundenspezifische Varianten möglich.

Auf Grund der kleinen Flächen der einzelnen Segmente eignen sich Differentialdioden und Quadrantendioden für die hochauflösende und schnelle Positionsmessung

Eindimensionale Detektor-Arrays aus Silizium mit 12 Einzelelementen. Kundenspezifische Varianten sind auf Anfrage erhältlich.

SiC-Dioden sind stabile UV-Fotodioden mit vielen Vorteilen für diesen Spektralbereich.

SiC-Hybrid-Fotodioden kombinieren die SiC UV-sensitive Technologie mit einem eingebauten Transimpedanzverstärker für sehr wenig Licht.

Diese Fotodioden bieten eine besonders hohe Quanteneffizienz von typisch 99,5%. Sie werden vor allem in Forschungseinrichtungen eingesetzt.

Ethernet schnell und unkompliziert mit Singlemode-Strecken aufrüsten

Silizium-Photodioden und Arrays mit Szintillatoren für X-Ray Anwendungen in der Sicherheits- und Medizintechnik.