SiC-Hybrid-Fotodioden (200 - 400 nm)

SiC-Hybrid-Photodioden

SiC-Hybrid-Dioden bestehen aus Solar Blind UV-Photodioden, die bevorzugt zur Überwachung der UV-Lichtquellen wie UVC LEDs oder Lampen eingesetzt werden, und einem eingebauten Transimpedanzverstärker.

SiC-Hybrid-Photodioden zeichnen sich durch folgende Eigenschaften aus:

• Eingebauter Transimpedanzverstärker wahlweise mit Rf = 10 MOhm, 100 MOhm, 1 GOhm oder 10 GOhm
• Spannungsausgang Uout bis zu 5 V
• Dynamischer Bereich mit 4 Größenordnungen
• Verschiedene Detektorgrößen 0,1 mm² und 1 mm²
• Typische spektrale Empfindlichkeit liegt im Bereich von 200 nm bis 355 nm
• Spezielle Chipstruktur bietet erweiterte Empfindlichkeit bis 400 nm
• Hervorragende Langzeitstabilität – auch bei hohen UVC Strahlungsdosen bis 1000 W/m²
• Hohe Temperaturstabilität, Betriebstemperatur bis 85°C
• Anpassung der spektralen Empfindlichkeit durch Filtertechnologie für UVA, UVB, UVC und andere Filtervarianten
• Sensor isoliert vom Gehäuse
• Hermetisches TO-Gehäuse
• RoHS, REACH und WEEE Konformität

Eingebauter Transimpedanzverstärker

Die SiC-Hybrid-Fotodioden verfügen über einen eingebauten Transimpedanzverstärker wahlweise mit Rf = 10 MOhm, 100 MOhm oder 1 GOhm. Eine weitere Option ermöglicht sogar 10 GOhm. Die hohe Empfindlichkeit von 4 Größenordnungen erlaubt sehr dynamische Signale zu vermessen. Die Ausgangsspannung Uout geht dabei bis 5 V.

SiC-Hybrid-Detektoren mit Filter

Für spezielle Anwendungen werden SiC-Hybrid-Photodioden mit integrierten, strahlungsfesten Filtern für UVC, UVB, UVA und andere oder kombinierte Bereiche angeboten.

Fenstervarianten

Die SiC-Hybrid-Photodioden erhalten Sie mit Flachkappe oder mit Linsenkappe.