La réponse de ces photodiodes est optimisée dans la région 800 nm à 1700 nm et offre une sensibilité de 0.9 A/W et 0.95 A/W respectivement à 1300 et 1550 nm.
Un grand choix de surfaces actives est disponibles depuis 500µm, 1 mm, 1.5 mm, 2 mm, 3 mm et 5 mm de diamètres.
Ces photodiodes InGaAs sont montées en boîtiers métalliques TO18, TO46, TO5 ou TO8 ou bien sur embases alumine S2 ou S3, selon les surfaces actives.
Toutes nos photodiodes sont fabriquées en utilisant une technologie planaire passivée, les surfaces photosensibles de nos photodiodes sont traitées AR large bande.
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